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〇 후지쓰연구소는 자동차 탑재 레이더 등에 사용 되고 있는 밀리파 송수신기를 소형·저경비화하는 기술을 개발함. 지금까지 어려움을 겼었던 고출력증폭기(power amp)의 일체집적화를 가능케 하여, 고주파무선(RF) 회로를 원칩(one-chip)화 함으로써 비용은 종래의 10분의 1로, 크기는 3분의 1에서 5분의 1로 줄임. 성과는 네덜란드에서 개최중인 마이크로파에 관한 국제회의 ‘EuMC2012'에서 29일 발표함
 
- 최근 몇 년간 자동차의 출격방지에 도움이 되는 77 기가헤르츠 대의 자동차 탑재 레이더와 고화질데이터 등을 전송할 수 있는 60 기가헤르츠 대의 대용량 무선통신 단말기가 보급되고 있음. 향후 사용되는 밀리파(파장 1밀리-10밀리미터, 주파수 30기가-300기가헤르츠) 송수신기기에는 현재 갈륨비소 등의 화합물반도체가 고출력증폭기로 이용되고 있음
 
- 고출력증폭기를 화합물반도체로부터 상보형 금속산화물 반도체(CMOS)로 바꾸어 CMOS 칩 위에 일체집적하여 비용절감과 소형화하는 방식이 진행되었으나 저전압으로 동작하는 CMOS회로에서는 고출력증폭기의 고출력화가 어려워 집적화의 난제에 부딪혔음
 
- 이번에 개발한 다층재배선기술(多層再配線技術)로 복수의 고출력증폭기 분배·합성회로를 형성함으로써 난제를 해소하여 일체집적화와 고출력증폭기 고출력화를 양립할수 있게 됨. 기존의 방법인 복수의 고출력증폭기의 전력합성은 배선저항 등으로 30%의 출력 손실이 발생했던 것에 대해 손실을 10%로 줄였고 시험 제작한 고출력증폭기 모듈에서는 77 기가헤르츠 대로 32 밀리와트의 고출력을 얻음
 
- 이로써 밀리파 송수신기기의 저비용화, 소형화가 가능해짐. 밀리파 송신기기 시장은 향후 자동차 탑재 레이더를 시작으로 급속한 확대가 예상됨. 동 연구소에서는 앞으로 주변기술을 개발하여 수년내에 제품화로 연결할 계획